图6-流流 - 用于分离间隔栅极 - 栅极 - 晶体管
带有集成SRAM单元的三角形CFET结构,用于2nm技术节点及超频
2021年1月19日

白皮书:SVT(六个堆叠的垂直晶体管)SRAM CELL架构介绍:设计和过程挑战评估

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本文介绍了使用六个垂直晶体管(沿Z方向的载波传输)的高级逻辑SRAM单元的新设计架构,彼此顶部堆叠。虚拟制造技术用于识别不同的过程集成方案,以便在高级逻辑节点处具有竞争性XY占地面积的这种架构的制造:在这项工作中对0.0093um2的单位小区区域进行了说明。该研究说明了虚拟制造可以是用于技术路径的关键能够实现元件,并且它可用于在磁带或晶片处理之前识别预期的模块显影挑战。

B.文森特,J.Ervin,“SSVT(六个堆叠垂直晶体管)SRAM Cell架构介绍:设计和过程挑战评估,”Proc。SPIE 11614,设计 - 流程技术协同优化XV,116140E(2月22日);DOI:10.1117 / 12.2583414

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