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图4.基于TEM横截面的模型校准(a)翅片自对准双图案化,(b)源/漏延伸生长和触点,和(c)栅极到源极/漏极间隔物。
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11月30日,2020年

白皮书:使用组合过程和电路仿真评估源消耗EPI实施对逻辑性能的影响

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在本文中,我们使用Semulator3D®[1]探索端到端解决方案,以解决包括电路仿真中的过程变化效应的需要。我们第一次使用BSIM紧凑型建模耦合Semulator3D以评估电路性能的过程变化影响。该研究的过程集成目标是在速度和功率性能期间优化高级节点FinFET的触点和间隔厚度。为此,我们比较三种结构具有不同的间隔凹槽水平和EPI形状的生长型材。我们研究了低k间​​隔厚度变化的影响,以选择间隔厚度和S / D EPI形状的最佳组合,以提高速度和功率性能。

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